(대구경제뉴스) 장호진 기자 = 삼성전자가 차세대 전력 반도체로 꼽히는 질화갈륨(GaN) 파운드리 양산 체제에 돌입하며 글로벌 화합물 반도체 시장 재편에 나선다. 전기차와 AI 데이터센터 등 고효율 전력 관리 수요가 급증하는 가운데, 삼성이 공정 기술력을 앞세워 시장 주도권을 쥐겠다는 전략으로 풀이된다.
25일 외신 및 관련 업계에 따르면 삼성전자는 이르면 올 2분기부터 GaN 전력 반도체 파운드리 라인의 본격적인 양산을 시작할 계획이다. 이와 함께 실리콘카바이드(SiC) 반도체 역시 연내 생산을 목표로 현재 시제품(샘플) 준비에 박차를 가하고 있는 것으로 알려졌다.
기존 실리콘(Si) 기반 반도체에 비해 열에 강하고 전력 효율이 월등히 높은 GaN과 SiC는 전기차(EV), 5G 통신 장비, 우주항공 등 첨단 산업의 핵심 소재로 불린다. 특히 삼성이 GaN 파운드리 양산 시점을 앞당기기로 한 것은 최근 TSMC가 관련 시장에서 일부 철수하거나 전략을 수정하는 틈을 타 점유율을 빠르게 확보하려는 포석으로 분석된다.
삼성전자는 이번 차세대 반도체 양산을 통해 종합 반도체 기업(IDM)으로서의 위상을 공고히 하는 한편, 파운드리 사업부의 수익성 개선도 꾀할 방침이다. 업계 관계자는 “삼성의 GaN·SiC 시장 본격 진입은 국내 반도체 생태계 전반의 경쟁력을 높이는 계기가 될 것”이라고 내다봤다.
시장 전문가들은 삼성의 가세로 글로벌 화합물 반도체 경쟁이 한층 치열해질 것으로 보고 있으며, 향후 양산 수율 확보와 고객사 유치 여부가 시장 안착의 관건이 될 전망이다.
(대구경제뉴스) 장호진 기자 (저서: 주식 상승의 원리)
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